电力电子技术基础

电力电子技术基础

　　电力电子技术基础

　　1、晶体管具有电流放大作用的内部条件是基区很薄、集电结面积大；

　　2、晶体管放大作用的实质是用一个小电流控制一个大电流；

　　3、晶体管的击穿电压与温度有关，会发生变化；

　　4、PNP型与NPN型晶体管都可以看成是反向串联的两个PN结；

　　5、带阻尼晶体管是将晶体管、阻尼二极管、与保护电阻封装在一起构成的；

　　6、差分对管是将两只性能参数相同的晶体管封装在一起构成的；

　　7、达林顿管的放大系数很高，主要用于高增益放大电路等；

　　8、场效应晶体管可分为结型和绝缘栅型两大类；

　　9、结型场效应不仅仅依靠沟道中的自由电子导电；

　　10、场效应晶体管的输出特性曲线可分为四个区域；

　　电力电子技术基础

　　1、半导体的导电能力随温度变化而变化；

　　2、P型半导体又称为空穴半型半导体；

　　3、PN结的P区接电源正极、N区接电源负极的接法叫做正偏；

　　4、PN结的P区接电源正极、N区接电源负极的接法叫做反偏；

　　5、PN结正向偏值时处于导通状态；

　　6、PN结反向偏值时处于截止状态；

　　7、硅二极管的正向电压为0.7V，锗管为0.3V；

　　8、对于质量良好的二极管，其正向电阻一般为几百欧姆；

　　9、稳压二极管广泛应用于稳压电源与限幅电路中；

　　10、变容二极管的反向偏压越大，其结电容越大；