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《模拟电子技术》模拟试题四
《模拟电子技术》模拟试题四
一．填充题（每空1分，共20分）
1．按击穿的机理区分，PN结的击穿分为 击穿和 击穿。
2．电路如附图4.1所示，当V=5V时测得ID＝2mA；若V增大到10V，ID的值；若V不变，而环境
温度降低时，ID的值。
3．由晶体管共射极输出特性可见，在放大区iB不变时，iC随uCE的增大而略增加，原因是uCE增大时基区有效宽
度 ，这称为 效应。
4．使直接耦合放大电路产生零点漂移的原因主要是 和元件的 。
5．若增大固定偏置共射极放大电路中晶体管的IBQ，该放大电路大减小。
6．共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是 失真；乙类功放电路的主要缺点是输出有 失真。
7．负反馈放大电路的fHf (1 AF)fH，适用于反馈环内只有一的电路；负反馈改善放大电路的性能是
以 为代价。
8．电容三点式正弦波振荡电路的主要优点是 ，主要缺点是 。
9．为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般选用 放大电路，因此由半导体三极管组成输入级的集成运放，两个输入端的外接电阻应 。
10．用集成运放组成的非正弦信号发生器一般由 和 两个部分组成。
二．分析计算题（共80分）
1．（12分）有两个相同的基本放大电路，负载开路时的电压放大倍数Au1 Au2 50、输入电阻Ri1 Ri2 2kΩ、输出电阻Ro1 Ro2 10kΩ，现用这两个基本放大电路组成一个多级放大电路，并用内阻Rs 2kΩ的正弦波信号源驱动，输出端接10kΩ的负载电阻RL。试求该多级放大电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro、电压放大倍数Au及源电压放大倍数Aus。
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2．（12分）电路如附图4.2所示，设T1、T2特性相同，IDSS＝4mA、UGS(off)＝－4V；调零电位器RW＝2kΩ，其滑动端调在中点。试计算：
（1）静态工作点的值；
（2）Aud、Ro；
（3）若电路改为从T1的漏极与“地”之间输出，求这种情况下的差模电压放大倍数、共模电压放大倍数、共模抑制比以及输出电阻。
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3．（12分）电路如附图4.3所示，已知集成运放的性能理想，T1、T2性能一致，输入电压是一个幅度为1V的正弦波信号。
及每个功放管的功耗PT。（1）说出R2引入什么类型的反馈；（2）试求输出功率Po、功放级的电源消耗功率PV、
4．（12分）电路如附图4.4所示。已知集成运放性能均理想，R1 R2 R、R3 R4 R5。试求：
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（1）Au1(s) Uo1(s)/Ui(s)的表达式；A(s) Uo(s)/Ui(s)的表达式； （2）u
（3）试问运放A1组成什么电路？整个电路又是什么电路？
5．（10分）一比较器如附图4.5所示已知硅稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，正向导通时的电压降为0.6V，UR＝12V，集成运放性能理想。
（1）试求输出高电平UOH、低电平UOL和阈值电压值；（2）画出电压传输特性曲线。
2-1u 4u 3uK 1VOII6．（10分）试用一个性能理想的集成运放和的模拟乘法器设计一个运算电路，实现的运
算功能。要求画出电路，标出各电阻之间的比例关系。
7．（12分）电路如附图4.6所示，设集成运放性能理想，UI 足够大。试求：
（1）最大输出电压UO(max)，并说明在什么条件下获得；（2）最小输出电压UO(min)，并说明在什么条件下获得。
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