电力电子技术总结

时间:2024-09-12 07:41:22 电子技术/半导体/集成电路 我要投稿
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电力电子技术总结

  总结是对过去一定时期的工作、学习或思想情况进行回顾、分析,并做出客观评价的书面材料,它可以促使我们思考,快快来写一份总结吧。那么如何把总结写出新花样呢?下面是小编为大家收集的电力电子技术总结,欢迎大家借鉴与参考,希望对大家有所帮助。

电力电子技术总结

电力电子技术总结1

  一、基本概念

  1.电力电子器件:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

  2.电力电子电路也被称为电力电子系统,由控制电路、驱动电路、检测电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。

  3.电力电子器件的分类

  (1)按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可分为半控型器件、全控型器件和不控型器件。

  (2)按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号性质,又可以将电力电子器件分为电流驱动型和电压驱动型器件。

  (3)电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。

  4.电导调制效应:当PN结上流过的正向电流较小时,二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻,其阻值较高且为常量,因而管压降随正向电流的上升而增加;当PN结上流过的正向电流较大时,注入并积累在低掺杂N区的少子空穴浓度将很大,为了维持半导体电中性条件,其多子浓度也相应大幅度增加,使其电阻率明显下降,也就是电导率大大增加,这就是电导调制效应。

  5.方向击穿:PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截止的工作状态,这就叫反向击穿。

  6.热击穿:当反向未被限制住,使得反向电流和反向电压的乘积超过了PN结容许的耗散功率,就会因热量散发不出去而导致PN结温度上升,直至过热而烧毁,就是热击穿。

  7.电力二极管的主要参数

  正向平均电流IF(AV):指电力二极管长期运行时,在指定的管壳温度和散热条件下,其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。

  通过对正弦半波电流的换算可知,正向平均电流IF(AV)对应的有效值为1.57IF(AV)。

  8.电力二极管的主要类型:普通二极管(又称整流二极管)、快速恢复二极管(FRD)和肖特基二极管(SRD)。

  9.晶闸管:是晶体闸流管的简称,又可称为可控硅整流管(SCR)。10.晶闸管的基本特性:

  (1)当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。(2)当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。

  (3)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不能门极触发电流是否存在,晶闸管都保持导通。

  (4)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

  11.晶闸管的派生器件:快速晶闸管(FST)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)和光控晶闸管(LTT)。

  12.门极可关断晶闸管(GTO):它是晶闸管的一种派生器件,但可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断,属于全控型器件。GTO是一种多元的功率集成器件,虽然外部同样引出三个极,但内部则包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。

  13.GTO与普通晶闸管不同点:

  (1)在设计器件时使得2较大,这样晶体管V2控制灵敏,使得GTO易于关断。

  (2)使得导通时的12更接近于1。这样使得GTO导通时饱和程度不深,更接近于临界饱和,从而为门极控制关断提供了有利条件。

  (3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2基区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。

  14.电力晶体管(GTR):译为巨型晶体管,是一种耐高压、大电流的双极结型晶体管(BJT)。它由三层半导体(分别引出集电极、基极和发射极)形成的两个PN结(集电结和发射结)构成,多采用NPN结构。

  15.GTR的二次击穿现象:当GTR的集电极电压升高至击穿电压时,集电极电流迅速增大,这种首先出现的击穿是雪崩击穿,被称为一次击穿。出现一次击穿后,只要Ic不超过最大允许耗散功率相对应的限度,GTR一般不会损坏,工作特性也不会有什么变化。但实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流,Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升,同时伴随着电压的陡然下降,这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏,或者工作特性明显衰变,因而对GTR危害极大。

  16.电力场效应晶体管:也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOSFET,简称电力MOSFET。电力MOSFET在导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。

  17.MOSFET分类:

  (1)按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

  (2)对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为增强型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。在电力MOSFET中,主要是N沟道增强型。18.电力MOSFET的工作原理

  (1)当漏极接电源正端,源极接电源负端,栅极和源极间电压为零时,P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。

  (2)如果在栅极和源极之间加一正电压UGS,由于栅极是绝缘的,所以并不会有栅极电流流过。但栅极的正电压却会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子电子吸引到栅极下面的P区表面。

  (3)当UGS大于某一电压值UT时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,从而使P型半导体反型而成N型半导体,形成反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。

  19.绝缘栅双极晶体管(IGBT):综合了GTR和MOSFET的优点。

  (GTR和GTO是双极型电流驱动器件,由于具有电导调制效应,所以其通流能力很强,但开关速度较低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件,开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小而且驱动电路简单。)

  20.IGBT开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定。

  (1)当uGE为正且大于开启电压UGE(th)时,MOSFET内形成沟道,并为晶体管提供基极电流进而是IGBT导通。

  (2)当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号,MOSFET内的沟道消失,晶体管的基极电流被切断,使IGBT关断。

  21.IGBT的擎住效应:IGBT内部结构中,由于NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻,P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降,相当于对J3结施加一个正向偏压,在额定集电极电流范围内,这个偏压很小,不足以使J3开通,然而一旦J3开通,栅极就会失去对集电极电流的控制作用,导致集电极电流增大,造成器件功率过高而损坏。这种电流失控的现象,被称为擎住效应或自锁效应。

  22.功率模块:将多个相同的'电力电子器件或多个相互配合使用的不同电力电子器件封装在一个模块中,可以缩小装置体积,降低成本,提高可靠性。

  23.功率集成电路:如果将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,则称为功率集成电路。

  24.驱动电路的基本任务:将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求,转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间,可以使其开通或关断的信号。

  25.晶闸管触发电路应满足以下要求:

  (1)触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。

  (2)触发脉冲应有足够的幅值。

  (3)所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额。(4)应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。

  26.GTO的开通控制与普通晶闸管相似,但对触发脉冲前沿的幅值和陡度要求高,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流。使GTO关断需要施加负门极电流,对其幅值和陡度的要求更高。关断后还应在门极施加约5V的负偏压,以提高抗干扰能力。

  27.使GTR开通的基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态,使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时,施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗,关断后同样应在基射极之间施加一定幅值(6V左右)的负偏压。

  28.电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压两类。

  29.过流保护较常用的措施:采用快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。

  30.缓冲电路:又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du和di,减小器件的开关损耗。

  dt或过电流dt

  31.按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,将器件分为:(1)属于单极型电力电子器件的有MOSFET和SIT等。

  (2)属于双极型电力电子器件的有电力二极管、晶闸管、GTO、GTR和SITH等。(3)属于复合型电力电子器件的有IGBT和MCT。

  二、作业详解:

  1.使晶闸管导通的条件是什么?

  答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK0且uGK0。

  2.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。

  要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。

  7.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

  答:IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

  GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。

  GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

  电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。

  8.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。

  答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du减小器件的开关损耗。

  RCD缓冲电路中,各元件的作用是:开通时,Cs经Rs放电,Rs起到限制放电电流的作用;关断时,负载电流经VDs从Cs分流,使dudtdt或过电流和didt,减小,抑制过电压。

  9.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。答:对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下:

  器件优点电压、电流容量大,适用于大功率场GTO合,具有电导调制效应,其通流能力很强耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低开关速度快,输入阻抗高,热稳定性电力MOSFET好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小

  缺点电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置GTRIGBT开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO

电力电子技术总结2

  高中学生已经具备了一定的物理、化学、数学等方面的知识,思维也更有逻辑性,所以在电子控制技术课的教学中操作不仅仅是一个重点,另外,引导他们探究问题、解决问题,培养他们的技术素养也是一个重要的方面。“导究―操作―反馈”模式不仅能培养他们的实践操作技能,同时也培养了他们探究问题、解决问题的能力。导究是指导学生研究问题,找到问题,学会解决的方法,操作是在实践中解决问题,反馈是对出现的问题及时纠正和指导。教师在其中指导学生,起到枢纽的作用,让学生成为研究实践中的主体。

  下面谈谈自己在电子控制技术教学中的一些方法。

  一、引导学生探究学习,培养学习兴趣

  电子控制技术课注重学生动手能力的培养,但是光动手不动脑,动手的水平也得不到提高,因此,在教学过程中要充分调动他们的积极性,在教学中我以“教学片,电子小制作,电子元器件的认识”引入新的知识,例如:引导学生在试验箱上进行《电子控制报警器模型》实验和《光控路灯模型》实验中引导学生从外形上认识常见的干簧管、光敏电阻等。使学生产生兴趣。深深地体会到电子控制技术课,乐在其中。使学生产生自觉动手制作的欲望,使学生获得自主探究学习的机会。通过实验使学生了解电子元器件在电子控制中的作用。激发学生进行科学研究的兴趣,在教学中可以引导他们充分运用所学知识和技能发挥他们的主观能动性,主动地去进行学习,研究,从而更好的掌握所学的知识。

  二、多媒体手段辅助教学,优化课堂教学效果,实物演示,提高学生操作技能

  结合不同的教学内容,采用多媒体手段教学,一目了然。既活跃课堂气氛,又可以缩短教学时间,加大了课堂容量。更多的是分散了教学难点,把纷繁的知识变的有序。例如:在讲授“焊接技术”这一节知识时,仅用语言表述很难讲清楚,需要演示实验、示范操作、动手实践才能达到的目标。我借助“焊接技术”录像及示范操作使学生先学会线路板的识别,电子元器件的安装方法及锡焊接、点锡焊接法。这样把教学内容更具体,更形象地传授给学生。因此,多媒体对课堂教学过程的优化,起着至关重要的作用。它具有丰富的表现力,有利于知识的同化。使学生更加充分,更容易理解焊接技术的要领,很快掌握焊接方法。指导学生练习焊接方法,让学生直观感受,保证了学生获得知识的可靠性和完整性。使学生真正参与到教与学的过程中去,成为教学的主体。

  知道了如何进行操作并不代表学会了操作,实践操作是培养学生实际操作能力的一个过程,要让学生感觉真实的实践过程。教师的演示是向学生讲解操作的细节部分,操作中的经验以及容易出错的地方,相当于慢动作演示。例如对电子控制技术试验箱的正确使用的教学,在演示中一定要用正确的手势和方法,因为演示的目的是要学生进行模仿,任何一个错误的动作都会给学生带来不良的后果。在操作中一定要把握、组织好操作的步骤,把握好学习的气氛,因为学生经过学习后都有一种想要动手的冲动,这时候一定要把握好学生的状态,在教师讲解演示操作时要提醒学生注意观察,调动起学生的积极性,使学生顺利完成多种电子实验。操作开始后还要到学生当中指导纠正错误。操作中提醒学生一定要注意安全问题,及时纠正危险的错误操作,让学生养成良好的操作习惯,不违规操作。

  学生操作中要使学生运用所学的知识技能和操作方法去体会实践的过程,体会其中的乐趣,在实践的过程中逐步将所学的知识技能转化为自己的.能力,培养了他们的动手能力和技术素养。

  三、分组学习,加强学生间的相互交流

  电子控制技术是一门实践性很强的学科,在教学中我们不仅向学生传授知识,更突出了对学生实践能力、创新能力的培养,鼓励学生设计一些电子小制作,培养学生的技术素养,使学生的学习更加生动活泼,鼓励学生进行实践的学习,探索的学习、合作的学习。教学应该是形式多样的,除课堂讲授外我们还分组讨论,分组检测,实验,进行操作实践等。我在教学中,针对教学内容让学生2~3人一小组,进行检测,实验,制作电子作品。这样既加强了学生之间的相互配合,相互交流同时还培养了团结协作的精神,促进创新思维。这样各组同学在思想和技能上的交流,有利于学生共同进步,提高了教学质量。

  四、当堂讲评,及时反馈

  课堂评价是教学中不可忽视的非常有意义的工作。及时分析、总结学习过程的得与失,可以培养学生严谨的学习态度,不断提高教学的质量,使学生自身素质不断提升。例如:实验结束后我们对好的电子作品进行展示,对有创新的电路分析,加深学生对电子控制的理解和掌握。反馈可以对学生学习的知识和技能进行检验,及时纠正,同时也可以进行归纳总结。在教学中我们对学生在电子控制技术试验箱上所进行的实验,做到及时掌握学生的学习情况,针对出现的情况及时调整,最后进行归纳总结,完成整个教学过程。

电力电子技术总结3

  电子技术基础是一门课时短、内容多、轻理论重实践的课程,对学生的知识运用能力提出了很高的要求。由于课程本身的特点,课程进度稍快往往就会使学生不能很好地掌握知识,学生的学习存在困难,致使教学效果不理想。因此要想改变该课程的教学现状,就要总结经验,积极探寻新的课程教学方法。

  一、电子技术基础课程教学现状分析

  随着现代社会的飞速发展,对电子技术的要求也在逐步提高,因此电子技术基础课程的学习,不仅能使学生掌握基本的电子知识,为后续学习打下基础,也顺应了社会发展的需求。但是现阶段本课程教学效果并不理想。由于这门课程是电子技术的一门基础课程,涉及的知识较多,而真正的教学过程课时却较少,学生对知识的掌握不够,实践能力也较差,远远达不到预期目标。

  二、电子技术基础课程教学方法改进与创新

  1、讲解形象直观,激发学习兴趣

  电子技术基础这门课程涉及的概念与理论较多,知识点抽象难懂,学生很难通过教师的表述理解透彻。此外,在课堂上学生听懂了,并不代表知识点理解了、掌握了,还需要教师通过一些特殊的方式让学生加深理解,增强记忆,提高能力;通过一些更为直观的教具、图片,使学生将理论与实际物品结合起来,利用计算机对声音、图像、文字、flash的处理能力,形成声、图、文并茂的形象化教学,充分调动学生学习的积极性。

  2、采用启发式教学模式

  在课堂教学环节中,启发式教学有助于引发学生的思考以及学习兴趣。对于电子技术基础这门课程,教师在运用启发式教学模式时就是要从最简单的电路入手,分析电路的组成以及工作原理,让学生自行查找电路存在的问题并指出解决的方法,并对改进后的电路的特点进行总结,启发学生思考由电路结构的改变给电路性能带来的改变;通过一系列的分析问题、解决问题、归纳总结的方式推进教学的进程,充分调动学生的学习热情与积极性,也使学生对知识点的理解更加透彻,形成一种思维模式,便于以后问题的解决。

  3、适当引入电子技术学史,紧密联系时代前沿实际

  在教学中适当引入电子技术学史,有助于学生了解在电子线路研究发展的历史。新产品,新发现的'推出,也是新思维模式的形成。了解这些发展史也有助于学生在学习电子线路时形成新的思维,学会发散思维看待电子技术问题,并且有利于学生的科技创新。这就要求教师在教学过程中从科学的角度解读一些电子线路规律的建立过程,创设情境,如果你是科学家,该怎么解决类似的问题,从而介绍科学进程中遇到的问题,以及科学家解决问题的思路与方法。电子线路基础这门课程的实践性与实用性很强,学生也能通过学习电子技术学史,了解到电子技术与生产生活、科学实际密切相关,从而在学习该课程的过程中,更加注重实验。鼓励学生要勇于创新,站在时代的前沿思考问题,不断将新的知识、新的技术充实到电子科技方面,使学生的眼界更加开阔,学习兴趣更加浓厚。

  4、理论联系实际,增强实践能力

  电子线路基础这门课程,在生活中的实用性很强,这就对学生的实践能力提出了新要求。因此在有限的课时中,既要完成理论知识的建立,又要通过设计不同的实验激发学生的学习兴趣,锻炼学生的动手实践能力。在进行课堂演示实验时,教师要邀请学生参与其中,共同解决实验中出现的问题。

  5、灵活运用教材,寓教于乐

  教材是教学的参照范本。在教学过程中,教师应该以学生为主体,依据学生的特点,恰当地选取教材,制订合适的教学计划。对于学生自主能力差,思维懒惰等问题,教师在教材的选择上应更加注重其实用性,在教学过程中要改革教学模式,运用现代化教学技术,依据本学科的特点,制订更为有趣的教学计划,增加与学生的互动环节,制造轻松愉悦的学习氛围,大大提升学生的学习效率。

  三、小结

  电子线路基础对于学生以后的专业知识的学习以及实际应用都有很重要的作用,因此改变教学方法,提升教学效果是教学的重中之重。作为一门系统理论课程,该课程要求学生不仅要有牢固的理论基础,更要有很强的实践动手能力。因此在教学过程中,要依据学生的特点,改革教学模式,运用多种方法提升教学效率。

电力电子技术总结4

  与计算机技术结合紧密电子测量技术的高速发展离不开计算机技术的大力支持,因此电子测量技术和计算机技术的紧密集合是又一个应用优点。在进行电子测量的过程中,具体的测量结果和需要控制的信号主要是电信号,这样就使得整个电子测量的信号能够很好地利用D/A、A/D变换来实现和计算机的连接。微型计算机的不断发展,让电子测量仪器能够更加便捷地携带,能够对测量的数据、结果以及变化情况进行记录和保存,体现了电子测量技术多功能、高性能的特点。

  客户不必要对被测对象的具置和测量过程进行了解,就能够利用软件平台技术将整个测量语言集成到整个软件平台系统中来。总线接口技术总线是电子测量系统中测量的关键和基础,能够实现整个电子测量技术的组合化、标准化和模块化[6]。电子测量技术的发展离不开总线接口技术,总线系统能够组建整个电子测量系统,从而确保整个系统的软件、硬件能够得到兼容和互换,这些将是今后电子测量技术发展中的核心研究任务和关键技术。

  总线接口技术的应用能够让整个电子测量系统的测量速度得到很大的.提高[7],同时减小仪器设备的自重和体积,为测量进程提供足够的便捷,还能够很好地结合计算机的作用,最终保证整个电子测量及时能够进入到一个全新的发展时期。总线接口技术的可靠性高、系统设计简单,并且维护性优良,还能够进行简便的升级换代,因此在今后的电子测量技术发展过程中,总线接口技术会得到更多的应用。

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